國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，湖南頂立科技股份有限公司申請一項名為“一種分段式化學氣相沉積法制備高致密TaC涂層的方法”的專利，公開號CN121428657A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種分段式化學氣相沉積法制備高致密TaC涂層的方法，所述方法包括以下步驟：S100、選用基體材料并進行預(yù)處理，去除基體材料表面雜質(zhì)；S200、在第一預(yù)設(shè)溫度和第一預(yù)設(shè)壓力下，通過化學氣相沉積法在基體材料上沉積第一預(yù)設(shè)厚度且呈柱狀晶結(jié)構(gòu)的粗顆粒TaC層，構(gòu)建厚度骨架；S300、降溫降壓至第二預(yù)設(shè)溫度和第二預(yù)設(shè)壓力，在基體材料上沉積細小晶粒以填充粗顆粒TaC層中的空隙和裂紋，進而得到高致密TaC涂層。本發(fā)明通過分段CVD工藝，先高溫高壓快速積厚形成柱狀晶結(jié)構(gòu)的TaC層，為后續(xù)低溫低壓致密化沉